Yalıtımlı Kapı Bipolar Transistörün Tanımı

Yalıtımlı Geçit Bipolar Transistörü (IGBT), MOSFET (Metal-Oksit-Yarı İletken Alan-Etki Transistörü) ve BJT'nin (İki Kutuplu Bağlantı Transistörü) avantajlarını birleştiren, tamamen kontrollü, voltaj-tahrikli bir kompozit güç yarı iletken cihazıdır.

 

Temel Tanım Noktaları
Yapı Bileşimi: Bir MOSFET'in yüksek giriş empedansı ve voltaj-güdümlü özelliklerini bir BJT'nin düşük iletim voltaj düşüşü ve yüksek akım-taşıma kapasitesi ile birleştirir.

 

Çalışma Prensibi: Kanal oluşumunu kontrol etmek için kapıya voltaj uygulayarak, PNP transistörüne temel akım sağlayarak açmayı-açmayı-kapamayı sağlar.

 

Terminal Yapısı: Üç elektrota sahiptir: - Kapı (G), Toplayıcı (C) ve Verici (E).

 

Ana Avantajlar
Yüksek giriş empedansı (MOSFET'e benzer, düşük sürüş gücü)

Düşük iletim voltajı düşüşü (BJT'ye benzer, düşük iletim kaybı)

Yüksek voltaj, yüksek akım ve orta ila yüksek{0}frekans uygulamaları için uygundur